Tertigo furtivo de bolacha
Corte furtivo a laser Corto furtivo a laser através dos pulsos individuais do laser pulsado através da modelagem óptica, de modo que através da superfície do material no foco interno do material, na área focal da maior densidade de energia, a formação da formação de cracks.
Cada ação equidistante de pulso de laser, a formação de danos equidistantes pode ser formada no material dentro de uma camada modificada. No local da camada modificada, as ligações moleculares do material são quebradas e as conexões do material se tornam frágeis e fáceis de separar. Após o corte, o produto é totalmente separado, esticando o filme da transportadora e criando uma lacuna de chip-to-chip. Como processo seco, o corte furtivo a laser oferece as vantagens de alta velocidade, alta qualidade (sem pequenos detritos) e baixa perda de Kerf.
TGV Processamento de orifício por meio
A desnaturação induzida por laser de TGV por meio do orifício por meio de criação de orifícios de TGV, o mecanismo principal é induzir o vidro para produzir zona de desnaturação contínua por laser pulsado, em comparação com a região não resgatada do vidro, a desnaturação do vidro em hidrofluórica na taxa de ácido é mais acelerada, baseada em fenômeno.
No campo da embalagem de semicondutores, o TGV é geralmente reconhecido pela indústria de semicondutores como uma tecnologia essencial para a integração tridimensional da próxima geração, principalmente devido à sua ampla gama de aplicações, o TGV pode ser aplicado a comunicações ópticas, os devem ser o front-end, os sistemas ópticos, os sistemas de MEMS, a consumo eletrônica, a eletrônica, etc. Independentemente de ser a metalização baseada em silício ou em vidro, a metalização do orifício é uma tecnologia de interconexão vertical emergente aplicada ao campo da embalagem de vácuo no nível da wafer. A tecnologia de metalização por meio do orifício é uma tecnologia de interconexão longitudinal emergente aplicada na embalagem de vácuo no nível da bolas, fornecendo uma nova maneira técnica de realizar a interconexão com o tom mínimo de chip-chip, com excelentes propriedades elétricas, térmicas e mecânicas.
