O Instituto de Máquinas Ópticas e Física de Changchun (CIPM), da Academia Chinesa de Ciências (CAS), informou que a equipe de pesquisa em lasers semicondutores de alta potência do CIPM, sob a liderança do acadêmico Wang Lijun e do pesquisador Ning Yongqiang, realizou pesquisas em lasers semicondutores avançados de largura de linha estreita e tecnologias-chave nos últimos anos.
Recentemente, o pesquisador associado Chao Chen da equipe relatou um laser semicondutor linearmente polarizado com largura de linha estreita de 852 nm baseado em uma estrutura de feedback óptico externo. A estrutura do laser atinge uma saída de laser de alta polarização de linha e largura de linha estreita de mais de 30 dB de taxa de extinção de polarização e tão baixa quanto 2,58 kHz, introduzindo um filtro de rede de Bragg birrefringente induzido por laser de femtosegundo e integrando-o com um híbrido de correlação de alta polarização chips de ganho semicondutores usando feedback seletivo no modo de polarização e técnicas de bloqueio por injeção.
Fig. (a) Características espectrais de excitação do laser, (b) Características de variação da taxa de extinção de polarização com corrente de injeção (a inserção mostra a potência do laser medida por diferentes ângulos de rotação da placa de onda do laser), (c) espectro de potência de frequência de batimento e sua curva de ajuste da largura de linha do laser medida por autoabsorção retardada e (d) simulação numérica da largura de linha Lorentziana e resultados de testes.
O laser pode ser usado como uma potencial fonte de luz bombeada atomicamente para sistemas de medição de precisão quântica e, com base em pesquisas anteriores em lasers de largura de linha estreita e resistentes à radiação, também é promissor para ser usado em sistemas experimentais quânticos de átomos frios em ambientes espaciais, flechas a bordo e a bordo.
